TK40J20D,S1F(O | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40J20D,S1F(O

TK40J20D,S1F(O

Увеличить

Только для справки

номер части	TK40J20D,S1F(O
LIXINC Part #	TK40J20D,S1F(O
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK40J20D,S1F(O След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK40J20D,S1F(O Технические характеристики

номер части:	TK40J20D,S1F(O
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	π-MOSVIII
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	44mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4300 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	260W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015