CP375-CWDM3011N-WN | Central Semiconductor CP375-CWDM3011N-WN | CP375-CWDM3011N-WN Inventory, Best Pricing

CP375-CWDM3011N-WN

Увеличить

Только для справки

номер части	CP375-CWDM3011N-WN
LIXINC Part #	CP375-CWDM3011N-WN
Производитель	Central Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CP375-CWDM3011N-WN След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CP375-CWDM3011N-WN Технические характеристики

номер части:	CP375-CWDM3011N-WN
Бренд:	Central Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Central Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Last Time Buy
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.3 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	860 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Die
упаковка / чехол:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015