FQE10N20LCTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Увеличить

Только для справки

номер части	FQE10N20LCTU
LIXINC Part #	FQE10N20LCTU
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQE10N20LCTU След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQE10N20LCTU Технические характеристики

номер части:	FQE10N20LCTU
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	490 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	12.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-126-3
упаковка / чехол:	TO-225AA, TO-126-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015