RQA0002DNSTB-E | Renesas Electronics America RQA0002DNSTB-E | RQA0002DNSTB-E Inventory, Best Pricing

RQA0002DNSTB-E

Увеличить

Только для справки

номер части	RQA0002DNSTB-E
LIXINC Part #	RQA0002DNSTB-E
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RQA0002DNSTB-E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	May 18 - May 22 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RQA0002DNSTB-E Технические характеристики

номер части:	RQA0002DNSTB-E
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	16 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	750mV @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	102 pF @ 0 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	15W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	2-HWSON (5x4)
упаковка / чехол:	3-DFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015