NTLJS7D2P02P8ZTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJS7D2P02P8ZTAG | NTLJS7D2P02P8ZTAG Inventory, Best Pricing

NTLJS7D2P02P8ZTAG

Увеличить

Только для справки

номер части	NTLJS7D2P02P8ZTAG
LIXINC Part #	NTLJS7D2P02P8ZTAG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTLJS7D2P02P8ZTAG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTLJS7D2P02P8ZTAG Технические характеристики

номер части:	NTLJS7D2P02P8ZTAG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.9A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	26.7 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2790 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	860mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-PQFN (2x2)
упаковка / чехол:	6-PowerWDFN

2SK2364-AZ	N-CHANNEL POWER MOSFET	943 Подробнее о заказе
DMG7N65SCTI	MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB	963 Подробнее о заказе
DMN67D8LT-7	MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R	909 Подробнее о заказе
RFP14N06L	N-CHANNEL POWER MOSFET	934 Подробнее о заказе
PMK50XP518	P-CHANNEL POWER MOSFET	914 Подробнее о заказе
HAT1038RJ-EL	P-CHANNEL POWER MOSFET	20808 Подробнее о заказе
2SK3900-ZP-E1-AZ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	3604 Подробнее о заказе
FDU5N60NZTU	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3	917 Подробнее о заказе
TPCP8107,LF	MOSFET P-CH 40V 8A PS-8	919 Подробнее о заказе
HUF76139S3	N-CHANNEL POWER MOSFET	1754 Подробнее о заказе
RF1S45N02LSM9A	N-CHANNEL POWER MOSFET	3366 Подробнее о заказе
APTM120DA30T1G	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1	949 Подробнее о заказе
MMIX1F40N110P	MOSFET N-CH 1100V 24A 24SMPD	886 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.91000	$0.91

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015