NVMFS6H818NLT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6H818NLT1G

NVMFS6H818NLT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFS6H818NLT1G
LIXINC Part #	NVMFS6H818NLT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFS6H818NLT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFS6H818NLT1G Технические характеристики

номер части:	NVMFS6H818NLT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 135A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 190µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3844 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 140W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN, 5 Leads

IAUC120N04S6L005ATMA1	IAUC120N04S6L005ATMA1	5913 Подробнее о заказе
IRF523	N-CHANNEL POWER MOSFET	3538 Подробнее о заказе
NTNS3A92PZT5G	MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3	816936 Подробнее о заказе
NTGD3133PT1H	PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO	15830 Подробнее о заказе
DMT10H009LCG-7	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN	909 Подробнее о заказе
CMS70N10H8-HF	MOSFET N-CH 100V 70A DFN5X6	989 Подробнее о заказе
TPCC8093,L1Q	MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON	912 Подробнее о заказе
IPB65R155CFD7ATMA1	HIGH POWER_NEW	997 Подробнее о заказе
SIRA60DP-T1-RE3	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8	812 Подробнее о заказе
2SK3367-Z-E2-AZ	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	2933 Подробнее о заказе
BUK763R4-30,118	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK	5746 Подробнее о заказе
2SK3290BNTL-E	N-CHANNEL MOSFET	12863 Подробнее о заказе
DMT67M8LCGQ-13	MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN	815 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.94000	$2.94

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015