NTMTSC1D6N10MCTXG

NTMTSC1D6N10MCTXG
Увеличить

Только для справки

номер части NTMTSC1D6N10MCTXG
LIXINC Part # NTMTSC1D6N10MCTXG
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTMTSC1D6N10MCTXG След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMTSC1D6N10MCTXG Технические характеристики

номер части:NTMTSC1D6N10MCTXG
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Ta), 267A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 650µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:7630 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):5.1W (Ta), 291W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TDFNW (8.3x8.4)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSF050N03LQ3G BSF050N03LQ3G N-CHANNEL POWER MOSFET 35773

Подробнее о заказе

IRF541 IRF541 N-CHANNEL POWER MOSFET 5085

Подробнее о заказе

IPD060N03LGINCT IPD060N03LGINCT N-CHANNEL POWER MOSFET 929

Подробнее о заказе

RJK03P9DPA-WS#J5A RJK03P9DPA-WS#J5A N-CHANNEL POWER MOSFET 3709

Подробнее о заказе

IRF9511 IRF9511 P-CHANNEL POWER MOSFET 947

Подробнее о заказе

NP100N04PUK-E1-AY NP100N04PUK-E1-AY N-CHANNEL MOSFET 1740

Подробнее о заказе

IRF647 IRF647 N-CHANNEL POWER MOSFET 2412

Подробнее о заказе

STN6N60M2 STN6N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2 984

Подробнее о заказе

3SK323UG-TL-E 3SK323UG-TL-E N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET 81867

Подробнее о заказе

STN1NK60ZL STN1NK60ZL MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 811

Подробнее о заказе

IPW65R110CFD7XKSA1 IPW65R110CFD7XKSA1 HIGH POWER_NEW 804

Подробнее о заказе

2SJ181-90STL 2SJ181-90STL P-CHANNEL POWER MOSFET 3104

Подробнее о заказе

DMN67D8LT-13 DMN67D8LT-13 MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R 862

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10894 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.31000$4.31

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top