NTMJS2D5N06CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMJS2D5N06CLTWG

NTMJS2D5N06CLTWG

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMJS2D5N06CLTWG
LIXINC Part #	NTMJS2D5N06CLTWG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 3.9A/113A 8LFPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMJS2D5N06CLTWG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMJS2D5N06CLTWG Технические характеристики

номер части:	NTMJS2D5N06CLTWG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.9A (Ta), 113A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 135µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3600 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.9W (Ta), 113A (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-LFPAK
упаковка / чехол:	8-PowerSMD, Gull Wing

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.89325	$0.89325

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015