NVMTS1D2N08H

NVMTS1D2N08H
Увеличить

Только для справки

номер части NVMTS1D2N08H
LIXINC Part # NVMTS1D2N08H
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMTS1D2N08H След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMTS1D2N08H Технические характеристики

номер части:NVMTS1D2N08H
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:43.5A (Ta), 337A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 590µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:147 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10100 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):5W (Ta), 300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-DFNW (8.3x8.4)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMN24H3D6S-7 DMN24H3D6S-7 MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 865

Подробнее о заказе

2SK551 2SK551 N-CHANNEL POWER MOSFET 1545

Подробнее о заказе

AUIRFC8407TR AUIRFC8407TR AUTOMOTIVE POWER MOSFET 2909

Подробнее о заказе

2SJ216-E 2SJ216-E P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET 23101

Подробнее о заказе

IPB025N08N3 G IPB025N08N3 G N-CHANNEL POWER MOSFET 1931

Подробнее о заказе

DMN2058U-13 DMN2058U-13 MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 110970

Подробнее о заказе

IXTY02N120P-TRL IXTY02N120P-TRL MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252 801

Подробнее о заказе

IXFH240N15X3 IXFH240N15X3 MOSFET N-CH 150V 240A TO247 1927

Подробнее о заказе

NX2020P1115 NX2020P1115 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 262995

Подробнее о заказе

APTM20DAM08TG APTM20DAM08TG MOSFET N-CH 200V 208A SP4 869

Подробнее о заказе

IMZ120R350M1HXKSA1 IMZ120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 974

Подробнее о заказе

NVBLS0D5N04CTXG NVBLS0D5N04CTXG MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF 850

Подробнее о заказе

2SK1299STL-E 2SK1299STL-E GENERAL SWITCHING POWER MOSFET 3611

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10818 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.59770$2.5977

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top