Только для справки
| номер части | IRL60SC216ARMA1 |
| LIXINC Part # | IRL60SC216ARMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 324A TO263-7 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRL60SC216ARMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRL60SC216ARMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | StrongIRFET™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 324A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 218 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 16000 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.4W (Ta), 375W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-7 |
| упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| IXTP12N70X2M | MOSFET N-CH 700V 12A TO220 | 875 Подробнее о заказе |
|
| NVMJS1D5N04CLTWG | MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK | 3899 Подробнее о заказе |
|
| BSS138KT-TP | N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 | 933 Подробнее о заказе |
|
| NVHL040N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 60A TO247-3 | 1370 Подробнее о заказе |
|
| IRFD111 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 878 Подробнее о заказе |
|
| RJK4512DPP-K0#T2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1548 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1582(0)-T1B-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 9967 Подробнее о заказе |
|
| PH6930DL115 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 342988 Подробнее о заказе |
|
| SIPC03N60C3X1SA1 | TRANSISTOR N-CH | 899 Подробнее о заказе |
|
| IPC218N04N3X7SA1 | MV POWER MOS | 949 Подробнее о заказе |
|
| IPC302N15N3X7SA1 | MV POWER MOS | 890 Подробнее о заказе |
|
| SIPC46N60C3X1SA1 | TRANSISTOR N-CH | 986 Подробнее о заказе |
|
| RQJ0304DQDQSWS#H3 | P CH MOS FET POWER SWITCHING | 839 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11753 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.83000 | $3.83 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.