Только для справки
| номер части | SSM3J09FU,LF |
| LIXINC Part # | SSM3J09FU,LF |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 30V 200MA USM |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SSM3J09FU,LF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SSM3J09FU,LF |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 3.3V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.7Ohm @ 100mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.8V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 22 pF @ 5 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | USM |
| упаковка / чехол: | SC-70, SOT-323 |
| UPA2760T1A-E2-AT | 9A, 30V, N-CHANNEL MOSFET | 351821 Подробнее о заказе |
|
| SPB80N06SL-07 | N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET | 801 Подробнее о заказе |
|
| APTM100DAM90G | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | 890 Подробнее о заказе |
|
| PMXB350UPE147 | SMALL SIGNAL FET | 938 Подробнее о заказе |
|
| TK33S10N1L,LQ | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | 979 Подробнее о заказе |
|
| RFP2N18 | N-CHANNEL, MOSFET | 841 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ208-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | 960 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4C05NAT1G | MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN | 6800 Подробнее о заказе |
|
| MAX8585EUA | MAX8585 ORING MOSFET CONTROLLER | 16535 Подробнее о заказе |
|
| RF1S45N06SM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1622 Подробнее о заказе |
|
| HTNFET-DC | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | 863 Подробнее о заказе |
|
| IPC60R280E6X1SA1 | MOSFET N-CH BARE DIE | 845 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3326(9)AZ | DISCRETE / POWER MOSFET | 830 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12711 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.