IPD80P03P4L07ATMA2

IPD80P03P4L07ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD80P03P4L07ATMA2
LIXINC Part # IPD80P03P4L07ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD80P03P4L07ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD80P03P4L07ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD80P03P4L07ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 130µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+5V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5700 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):88W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IST007N04NM6AUMA1 IST007N04NM6AUMA1 MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5 2845

Подробнее о заказе

NTTFSC4937NTAG NTTFSC4937NTAG MOSFET N-CH 30V 50A U8FL 188446

Подробнее о заказе

2SK2415-ZK-E1-AZ 2SK2415-ZK-E1-AZ SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 3430

Подробнее о заказе

2SJ143(1)-S6-AZ 2SJ143(1)-S6-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET 1928

Подробнее о заказе

NTMFS5C628NT1G NTMFS5C628NT1G MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN 958

Подробнее о заказе

R8007AND3FRATL R8007AND3FRATL MOSFET N-CH 800V 7A TO252 910

Подробнее о заказе

2SK2111-D-T1-AZ 2SK2111-D-T1-AZ SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 9801

Подробнее о заказе

NVMJS1D4N06CLTWG NVMJS1D4N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK 802

Подробнее о заказе

SIPC69SN60C3X2SA1 SIPC69SN60C3X2SA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 1923

Подробнее о заказе

YJL3415A-F2-0000HF YJL3415A-F2-0000HF P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L 904

Подробнее о заказе

DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 282891

Подробнее о заказе

RJK0390DPA-02#J5A RJK0390DPA-02#J5A N-CHANNEL POWER MOSFET 351982

Подробнее о заказе

IRFD121 IRFD121 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 1804

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10945 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.56000$1.56

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top