NVMJS2D5N06CLTWG

NVMJS2D5N06CLTWG
Увеличить

Только для справки

номер части NVMJS2D5N06CLTWG
LIXINC Part # NVMJS2D5N06CLTWG
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMJS2D5N06CLTWG След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMJS2D5N06CLTWG Технические характеристики

номер части:NVMJS2D5N06CLTWG
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Ta), 164A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 135µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3600 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.9W (Ta), 113W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-LFPAK
упаковка / чехол:SOT-1205, 8-LFPAK56

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TPIC5223LD TPIC5223LD SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 2172

Подробнее о заказе

NTD4855NT4H NTD4855NT4H N-CHANNEL POWER MOSFET 28437

Подробнее о заказе

SIPC69N50C3X1SA2 SIPC69N50C3X1SA2 MOSFET COOL MOS SAWED WAFER 839

Подробнее о заказе

SIRA52DP-T1-RE3 SIRA52DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 811

Подробнее о заказе

IRFF323 IRFF323 N-CHANNEL POWER MOSFET 893

Подробнее о заказе

NVD6495NLT4G NVD6495NLT4G N-CHANNEL, MOSFET 3458

Подробнее о заказе

NVMFS5C670NWFT1G NVMFS5C670NWFT1G MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 989

Подробнее о заказе

IPB080N03L G IPB080N03L G N-CHANNEL POWER MOSFET 2112

Подробнее о заказе

NVMFS3D6N10MCLT1G NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN 1936

Подробнее о заказе

NTB110N65S3HF NTB110N65S3HF MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 1647

Подробнее о заказе

RJK03J4DPA-00#J5A RJK03J4DPA-00#J5A N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET 12950

Подробнее о заказе

NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z MOSFET N-CH 800V 13A DPAK 897

Подробнее о заказе

NVMFSC0D9N04C NVMFSC0D9N04C MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN 41089986

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12696 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.63000$1.63

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top