TPN2R903PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN2R903PL,L1Q

TPN2R903PL,L1Q

Увеличить

Только для справки

номер части	TPN2R903PL,L1Q
LIXINC Part #	TPN2R903PL,L1Q
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPN2R903PL,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPN2R903PL,L1Q Технические характеристики

номер части:	TPN2R903PL,L1Q
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSIX-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	70A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	26 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2300 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	630mW (Ta), 75W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

DMP6250SFDF-7	MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-	956 Подробнее о заказе
IPC60R950C6X1SA1	MOSFET N-CH BARE DIE	810 Подробнее о заказе
RJK0346DPA-WS#J0	N-CHANNEL POWER MOSFET	2747 Подробнее о заказе
FDBL9406-F085T6	MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF	959 Подробнее о заказе
NTMFS5C426NT3G	MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN	871 Подробнее о заказе
RJK0331DPB-01#J0	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	9832 Подробнее о заказе
NVTFWS030N06CTAG	MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN	21899 Подробнее о заказе
2SK160A(1)-T1B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	8206 Подробнее о заказе
RJK5026DPP-V0#T2	N-CHANNEL POWER MOSFET	911 Подробнее о заказе
SQR97N06-6M3L_GE3	MOSFET N-CH 60V 50A TO252	2851 Подробнее о заказе
SI4431DY	P-CHANNEL MOSFET	25928 Подробнее о заказе
IPP65R090CFD7XKSA1	HIGH POWER_NEW	997 Подробнее о заказе
IRFU322	N-CHANNEL POWER MOSFET	1770 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.78000	$0.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015