TPN7R006PL,L1Q

TPN7R006PL,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPN7R006PL,L1Q
LIXINC Part # TPN7R006PL,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPN7R006PL,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPN7R006PL,L1Q Технические характеристики

номер части:TPN7R006PL,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSIX-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:54A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1875 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):630mW (Ta), 75W (Tc)
Рабочая Температура:175°C
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RJK0651DPB-0T#J5 RJK0651DPB-0T#J5 N-CHANNEL POWER MOSFET 18072

Подробнее о заказе

SIHG64N65E-GE3 SIHG64N65E-GE3 MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC 892

Подробнее о заказе

FDMW2512NZ FDMW2512NZ SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 66670

Подробнее о заказе

SISC29N20DX1SA1 SISC29N20DX1SA1 TRANSISTOR P-CH BARE DIE 820

Подробнее о заказе

UPA2600T1R-E2-AX UPA2600T1R-E2-AX MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON 806

Подробнее о заказе

2SJ687-ZK-E2-AY 2SJ687-ZK-E2-AY SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 3341

Подробнее о заказе

NTMFS5C645NLT3G NTMFS5C645NLT3G MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN 896

Подробнее о заказе

SQM200N04-1M1L_GE3 SQM200N04-1M1L_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 1350

Подробнее о заказе

2SK1590(0)-T1B-AT 2SK1590(0)-T1B-AT SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 23965

Подробнее о заказе

2SK2090-T1-A 2SK2090-T1-A N-CHANNEL MOSFET 5690

Подробнее о заказе

2SK2158-T2B-AT 2SK2158-T2B-AT SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 8409

Подробнее о заказе

2SK1133(0)-T1B-A 2SK1133(0)-T1B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 12850

Подробнее о заказе

RQA0011DNS#G1 RQA0011DNS#G1 DISCRETE / POWER MOSFET 817

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19547 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.97000$0.97

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top