Только для справки
| номер части | DMJ65H190SCTI |
| LIXINC Part # | DMJ65H190SCTI |
| Производитель | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | DMJ65H190SCTI След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | DMJ65H190SCTI |
| Бренд: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| ряд: | * |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| BTS247ZE3062AATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4866 Подробнее о заказе |
|
| NTTFS3D7N06HLTWG | MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN | 882 Подробнее о заказе |
|
| IPL65R165CFDAUMA2 | MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON | 820 Подробнее о заказе |
|
| 2SK2552B-T1-AT | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 30937 Подробнее о заказе |
|
| SIPC30N60C3X1SA2 | TRANSISTOR N-CH | 843 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3060-Z-E1-AZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1994 Подробнее о заказе |
|
| AON6314 | MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN | 961 Подробнее о заказе |
|
| SIHG186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC | 1401 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ279S-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 3269 Подробнее о заказе |
|
| IXKF40N60SCD1 | MOSFET N-CH 600V 41A I4PAC | 912 Подробнее о заказе |
|
| IXFP14N55X2 | IXFP14N55X2 | 855 Подробнее о заказе |
|
| TK1R5R04PB,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | 2791 Подробнее о заказе |
|
| DMT67M8LCG-7 | MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN | 836 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10867 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.11920 | $3.1192 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.