Только для справки
| номер части | TK3R2A10PL,S4X |
| LIXINC Part # | TK3R2A10PL,S4X |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK3R2A10PL,S4X След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK3R2A10PL,S4X |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | * |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| HUF76132S3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 858 Подробнее о заказе |
|
| NTMTS0D4N04CLTXG | MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW | 952 Подробнее о заказе |
|
| SPB160N04S2-03 | 160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET | 1376 Подробнее о заказе |
|
| SIRA90DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 | 800 Подробнее о заказе |
|
| NDH8521C | P-CHANNEL MOSFET | 39859 Подробнее о заказе |
|
| DMTH69M8LFVWQ-7 | MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 | 858 Подробнее о заказе |
|
| IRF543 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1812 Подробнее о заказе |
|
| APTM10SKM02G | MOSFET N-CH 100V 495A SP6 | 890 Подробнее о заказе |
|
| H5N2513PL-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2041 Подробнее о заказе |
|
| FDMS0349 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 218405 Подробнее о заказе |
|
| RD3U041AAFRATL | MOSFET N-CH 250V 4A TO252 | 3484 Подробнее о заказе |
|
| RJK03M2DPA-00#J5A | MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK | 922 Подробнее о заказе |
|
| SPD07N60S5BTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 28374 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10889 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.08000 | $3.08 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.