Только для справки
| номер части | GA50JT06-258 |
| LIXINC Part # | GA50JT06-258 |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | TRANS SJT 600V 100A TO258 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | GA50JT06-258 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | GA50JT06-258 |
| Бренд: | GeneSiC Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 50A |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 769W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-258 |
| упаковка / чехол: | TO-258-3, TO-258AA |
| YJQ50N03B-F1-1100HF | N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L | 1000 Подробнее о заказе |
|
| TK15S04N1L,LXHQ | MOSFET N-CH 40V 15A DPAK | 4836 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3348CNTL-E | N-CHANNEL MOSFET | 27850 Подробнее о заказе |
|
| PMPB14R0EPX | MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6 | 916 Подробнее о заказе |
|
| VMO60-05F | MOSFET N-CH 500V 60A TO240AA | 924 Подробнее о заказе |
|
| NTMFSC1D6N06CL | MOSFET N-CH 60V 36A/235A 8DFN | 27809941 Подробнее о заказе |
|
| BSZ042N04NS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 917 Подробнее о заказе |
|
| RJK03A4DPA-00#J53 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | 9826 Подробнее о заказе |
|
| IRFS30067PPBF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5562 Подробнее о заказе |
|
| FCMT099N65S3 | MOSFET N-CH 650V 30A POWER88 | 899 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3720-6-TB-E | NCH 30MA 15V MOSFET | 3967 Подробнее о заказе |
|
| NVATS5A304PLZT4G | MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK | 992 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ203-L-A | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 964 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10866 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $669.90000 | $669.9 |
| 10 | $669.90000 | $6699 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.