2SJ438(AISIN,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SJ438(AISIN,Q,M) | 2SJ438(AISIN,Q,M) Inventory, Best Pricing

2SJ438(AISIN,Q,M)

Увеличить

Только для справки

номер части	2SJ438(AISIN,Q,M)
LIXINC Part #	2SJ438(AISIN,Q,M)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH TO220NIS
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2SJ438(AISIN,Q,M) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2SJ438(AISIN,Q,M) Технические характеристики

номер части:	2SJ438(AISIN,Q,M)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	*
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	-
технологии:	-
напряжение сток-исток (vdss):	-
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	5A (Tj)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220NIS
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015