Только для справки
| номер части | GA100JT17-227 |
| LIXINC Part # | GA100JT17-227 |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | GA100JT17-227 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | GA100JT17-227 |
| Бренд: | GeneSiC Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | - |
| технологии: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1700 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 160A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 10mOhm @ 100A |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 14400 pF @ 800 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 535W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Chassis Mount |
| пакет устройств поставщика: | SOT-227 |
| упаковка / чехол: | SOT-227-4, miniBLOC |
| SPB160N04S203CTMA1 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | 967 Подробнее о заказе |
|
| 2N6660JTXL02 | MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD | 806 Подробнее о заказе |
|
| TK14C65W5,S1Q | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | 971 Подробнее о заказе |
|
| AO4449_101 | MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC | 960 Подробнее о заказе |
|
| STI35N65M5 | MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK | 816 Подробнее о заказе |
|
| AON6448L | MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN | 925 Подробнее о заказе |
|
| RJL6013DPE-00#J3 | MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK | 996 Подробнее о заказе |
|
| IPD400N06NGBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3 | 882 Подробнее о заказе |
|
| FQP6N60 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3 | 926 Подробнее о заказе |
|
| APT20M19JVR | MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP | 904 Подробнее о заказе |
|
| IXTC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 | 937 Подробнее о заказе |
|
| AO4447AL_104 | MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC | 990 Подробнее о заказе |
|
| PMN34UN,135 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP | 962 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10873 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.