PMFPB6532UP,115 | NXP Semiconductors PMFPB6532UP,115 | PMFPB6532UP,115 Inventory, Best Pricing

PMFPB6532UP,115

Увеличить

Только для справки

номер части	PMFPB6532UP,115
LIXINC Part #	PMFPB6532UP,115
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PMFPB6532UP,115 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PMFPB6532UP,115 Технические характеристики

номер части:	PMFPB6532UP,115
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	380 pF @ 10 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DFN2020-6
упаковка / чехол:	6-UDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015