Только для справки
| номер части | TPC8111(TE12L,Q,M) |
| LIXINC Part # | TPC8111(TE12L,Q,M) |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPC8111(TE12L,Q,M) След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPC8111(TE12L,Q,M) |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 12mOhm @ 5.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 107 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5710 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1W (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| SPP24N60C3HKSA1 | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3 | 810 Подробнее о заказе |
|
| BSB017N03LX3 G | MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON | 914 Подробнее о заказе |
|
| IXFN32N60 | MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B | 871 Подробнее о заказе |
|
| STS9NF30L | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO | 942 Подробнее о заказе |
|
| IPD12CNE8N G | MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 | 860 Подробнее о заказе |
|
| SI1433DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | 820 Подробнее о заказе |
|
| TK4A53D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 525V 4A TO220SIS | 980 Подробнее о заказе |
|
| STB5NK50ZT4 | MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK | 908 Подробнее о заказе |
|
| IXFH80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD | 857 Подробнее о заказе |
|
| AOD4158P | MOSFET N-CH 30V 13A/46A TO252 | 953 Подробнее о заказе |
|
| APT10035B2LLG | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | 857 Подробнее о заказе |
|
| IRF9328PBF | MOSFET P-CH 30V 12A 8SO | 863 Подробнее о заказе |
|
| IRF2807S | MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK | 909 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10888 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.