PHK4NQ10T,518 | NXP Semiconductors PHK4NQ10T,518 | PHK4NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHK4NQ10T,518

Увеличить

Только для справки

номер части	PHK4NQ10T,518
LIXINC Part #	PHK4NQ10T,518
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 8SO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PHK4NQ10T,518 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PHK4NQ10T,518 Технические характеристики

номер части:	PHK4NQ10T,518
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	TrenchMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	880 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta)
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SO
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015