IRFH7882TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH7882TRPBF | IRFH7882TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH7882TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFH7882TRPBF
LIXINC Part #	IRFH7882TRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFH7882TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFH7882TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRFH7882TRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	FASTIRFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	26A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.6V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	74 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3186 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	4W (Ta), 195W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-PQFN (5x6)
упаковка / чехол:	8-VQFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015