APT10M11B2VFRG | Microsemi APT10M11B2VFRG | APT10M11B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT10M11B2VFRG

Увеличить

Только для справки

номер части	APT10M11B2VFRG
LIXINC Part #	APT10M11B2VFRG
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT10M11B2VFRG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT10M11B2VFRG Технические характеристики

номер части:	APT10M11B2VFRG
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	POWER MOS V®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	450 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	10300 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	520W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	T-MAX™
упаковка / чехол:	TO-247-3 Variant

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015