RJK2009DPM-00#T0 | Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0 | RJK2009DPM-00#T0 Inventory, Best Pricing

RJK2009DPM-00#T0

Увеличить

Только для справки

номер части	RJK2009DPM-00#T0
LIXINC Part #	RJK2009DPM-00#T0
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJK2009DPM-00#T0 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJK2009DPM-00#T0 Технические характеристики

номер части:	RJK2009DPM-00#T0
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	40A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	36mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2900 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	60W (Tc)
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3PFM
упаковка / чехол:	TO-3PFM, SC-93-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015