TSM2N7000KCT A3G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N7000KCT A3G | TSM2N7000KCT A3G Inventory, Best Pricing

TSM2N7000KCT A3G

Увеличить

Только для справки

номер части	TSM2N7000KCT A3G
LIXINC Part #	TSM2N7000KCT A3G
Производитель	TSC (Taiwan Semiconductor)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TSM2N7000KCT A3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TSM2N7000KCT A3G Технические характеристики

номер части:	TSM2N7000KCT A3G
Бренд:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	TSC (Taiwan Semiconductor)
ряд:	-
упаковка:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	300mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.4 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7.32 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	400mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-92
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015