EPC2030ENGRT | EPC EPC2030ENGRT | EPC2030ENGRT Inventory, Best Pricing

EPC2030ENGRT

Увеличить

Только для справки

номер части	EPC2030ENGRT
LIXINC Part #	EPC2030ENGRT
Производитель	EPC
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET NCH 40V 31A DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	EPC2030ENGRT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

EPC2030ENGRT Технические характеристики

номер части:	EPC2030ENGRT
Бренд:	EPC
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	EPC
ряд:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Discontinued at Digi-Key
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	2.4mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 16mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	+6V, -4V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 20 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Die
упаковка / чехол:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015