SPU08P06P | IR (Infineon Technologies) SPU08P06P | SPU08P06P Inventory, Best Pricing

SPU08P06P

Увеличить

Только для справки

номер части	SPU08P06P
LIXINC Part #	SPU08P06P
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SPU08P06P След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SPU08P06P Технические характеристики

номер части:	SPU08P06P
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	SIPMOS®
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	8.83A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	420 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	42W (Tc)
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO251-3
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015