Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD053N06N3GBTMA1

IPD053N06N3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD053N06N3GBTMA1
LIXINC Part # IPD053N06N3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD053N06N3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD053N06N3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD053N06N3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 58µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:82 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6600 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):115W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD053N06N3GBTMA1 Документы

if IPD053N06N3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFR5410TR IRFR5410TR MOSFET P-CH 100V 13A DPAK 973

Подробнее о заказе
SI7404DN-T1-E3 SI7404DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8 911

Подробнее о заказе
IPP100P03P3L-04 IPP100P03P3L-04 MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3 942

Подробнее о заказе
R6030KNZ1C9 R6030KNZ1C9 MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 818

Подробнее о заказе
IRFR120ZTRL IRFR120ZTRL MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 934

Подробнее о заказе
SPU03N60S5BKMA1 SPU03N60S5BKMA1 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 807

Подробнее о заказе
IPI90N06S4L04AKSA1 IPI90N06S4L04AKSA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 916

Подробнее о заказе
BUK7907-55ATE,127 BUK7907-55ATE,127 MOSFET N-CH 55V 75A TO220-5 974

Подробнее о заказе
STW7NK90Z STW7NK90Z MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3 890

Подробнее о заказе
IRF6611TR1PBF IRF6611TR1PBF MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET 982

Подробнее о заказе
2SK3826 2SK3826 MOSFET N-CH 100V 26A TO220 919

Подробнее о заказе
IXFE44N60 IXFE44N60 MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B 838

Подробнее о заказе
94-2304 94-2304 MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 840

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10829 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top