BSC130P03LSGAUMA1 | Rochester Electronics BSC130P03LSGAUMA1 | BSC130P03LSGAUMA1 Inventory, Best Pricing

BSC130P03LSGAUMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC130P03LSGAUMA1
LIXINC Part #	BSC130P03LSGAUMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	PFET, 12A I(D), 30V, 0.013OHM, 1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC130P03LSGAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC130P03LSGAUMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC130P03LSGAUMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Ta), 22.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	73.1 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3.67 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-3
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015