IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD068N10N3GBTMA1
LIXINC Part # IPD068N10N3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD068N10N3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD068N10N3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD068N10N3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4910 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFI9634G IRFI9634G MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3 858

Подробнее о заказе

AO3409L AO3409L MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3 874

Подробнее о заказе

AOD403_030 AOD403_030 MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252 886

Подробнее о заказе

NTD24N06G NTD24N06G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 917

Подробнее о заказе

SI3454CDV-T1-E3 SI3454CDV-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP 833

Подробнее о заказе

NTTFS5811NLTWG NTTFS5811NLTWG MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN 874

Подробнее о заказе

IPU060N03L G IPU060N03L G MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 884

Подробнее о заказе

IPB14N03LA G IPB14N03LA G MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3 817

Подробнее о заказе

IRF1404SPBF IRF1404SPBF MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK 972

Подробнее о заказе

RJL5014DPK-00#T0 RJL5014DPK-00#T0 MOSFET N-CH 500V 19A TO3P 978

Подробнее о заказе

IRFU3709ZPBF IRFU3709ZPBF MOSFET N-CH 30V 86A IPAK 946

Подробнее о заказе

ZVNL110ASTOA ZVNL110ASTOA MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE 983

Подробнее о заказе

R6046FNZC8 R6046FNZC8 MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF 946

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10963 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top