SIR812DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR812DP-T1-GE3 | SIR812DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR812DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIR812DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR812DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIR812DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIR812DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIR812DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.45mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	335 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	10240 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015