Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPD30P06P

SPD30P06P
Увеличить

Только для справки

номер части SPD30P06P
LIXINC Part # SPD30P06P
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPD30P06P След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD30P06P Технические характеристики

номер части:SPD30P06P
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Obsolete
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:75mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 1.7mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1535 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD30P06P Документы

if SPD30P06P PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFN36N60 IXFN36N60 MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B 874

Подробнее о заказе
IPI070N08N3 G IPI070N08N3 G MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3 998

Подробнее о заказе
SIE844DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK 812

Подробнее о заказе
IRF5804TR IRF5804TR MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6 889

Подробнее о заказе
IRF624L IRF624L MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK 951

Подробнее о заказе
IRF7459TR IRF7459TR MOSFET N-CH 20V 12A 8SO 821

Подробнее о заказе
IRFI520N IRFI520N MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP 971

Подробнее о заказе
IPP65R074C6XKSA1 IPP65R074C6XKSA1 MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3 941

Подробнее о заказе
IRF3709ZCSTRL IRF3709ZCSTRL MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK 844

Подробнее о заказе
STF9NK80Z STF9NK80Z MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP 955

Подробнее о заказе
FDMC6675BZ-T FDMC6675BZ-T INTEGRATED CIRCUIT 815

Подробнее о заказе
BTS282Z E3180A BTS282Z E3180A MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 897

Подробнее о заказе
SIE830DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK 954

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10823 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top