APT18F60S | Microsemi APT18F60S | APT18F60S Inventory, Best Pricing

APT18F60S

Увеличить

Только для справки

номер части	APT18F60S
LIXINC Part #	APT18F60S
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APT18F60S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APT18F60S Технические характеристики

номер части:	APT18F60S
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	POWER MOS 8™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	370mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3550 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	335W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D3Pak
упаковка / чехол:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015