TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8032-H(TE12LQM) | TPC8032-H(TE12LQM) Inventory, Best Pricing

TPC8032-H(TE12LQM)

Увеличить

Только для справки

номер части	TPC8032-H(TE12LQM)
LIXINC Part #	TPC8032-H(TE12LQM)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPC8032-H(TE12LQM) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPC8032-H(TE12LQM) Технические характеристики

номер части:	TPC8032-H(TE12LQM)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2846 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOP (5.5x6.0)
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015