RJK6032DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America RJK6032DPH-E0#T2 | RJK6032DPH-E0#T2 Inventory, Best Pricing

RJK6032DPH-E0#T2

Увеличить

Только для справки

номер части	RJK6032DPH-E0#T2
LIXINC Part #	RJK6032DPH-E0#T2
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJK6032DPH-E0#T2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJK6032DPH-E0#T2 Технические характеристики

номер части:	RJK6032DPH-E0#T2
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	285 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	40.3W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-251
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015