Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPP023NE7N3G

IPP023NE7N3G
Увеличить

Только для справки

номер части IPP023NE7N3G
LIXINC Part # IPP023NE7N3G
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPP023NE7N3G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка May 20 - May 24 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPP023NE7N3G Технические характеристики

номер части:IPP023NE7N3G
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™ 3
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):75 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.8V @ 273µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:206 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:14400 pF @ 37.5 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

IPP023NE7N3G Документы

if IPP023NE7N3G PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFR220NTRRPBF IRFR220NTRRPBF MOSFET N-CH 200V 5A DPAK 924

Подробнее о заказе
FDME410NZT FDME410NZT MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET 986

Подробнее о заказе
FQB4N90TM FQB4N90TM MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK 956

Подробнее о заказе
SI7445DP-T1-GE3 SI7445DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8 804

Подробнее о заказе
IRF7433TRPBF IRF7433TRPBF MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO 939

Подробнее о заказе
HUFA75829D3S HUFA75829D3S MOSFET N-CH 150V 18A TO252AA 863

Подробнее о заказе
NVMFS5833NLT1G NVMFS5833NLT1G MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN 878

Подробнее о заказе
IRLR4343TRL IRLR4343TRL MOSFET N-CH 55V 26A DPAK 848

Подробнее о заказе
IRFH5206TRPBF IRFH5206TRPBF MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN 966

Подробнее о заказе
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT GANFET N-CH 40V 16A DIE 833

Подробнее о заказе
IXFH6N90 IXFH6N90 MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD 920

Подробнее о заказе
IRL3715PBF IRL3715PBF MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB 909

Подробнее о заказе
IRF7207TRPBF IRF7207TRPBF MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO 951

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10919 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top