FQD12N20TM_F080 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Увеличить

Только для справки

номер части	FQD12N20TM_F080
LIXINC Part #	FQD12N20TM_F080
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQD12N20TM_F080 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQD12N20TM_F080 Технические характеристики

номер части:	FQD12N20TM_F080
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	910 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D-Pak
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015