Только для справки
| номер части | FCP190N65S3 |
| LIXINC Part # | FCP190N65S3 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCP190N65S3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCP190N65S3 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | SuperFET® III |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 17A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 1.7mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 33 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.35 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 144W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| SQD100N04-3M6L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA | 1117 Подробнее о заказе |
|
| BUK9840-55115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9620 Подробнее о заказе |
|
| BS870Q-7-F | MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23 | 4430 Подробнее о заказе |
|
| RM15P60LD | MOSFET P-CHANNEL 60V 13A TO252-2 | 993 Подробнее о заказе |
|
| BSP225/S911115 | P-CHANNEL MOSFET | 910 Подробнее о заказе |
|
| SPP16N50C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 822 Подробнее о заказе |
|
| SISH410DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK | 7830 Подробнее о заказе |
|
| FCA36N60NF | MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN | 361817 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1449 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 3335 Подробнее о заказе |
|
| HUFA76409D3ST | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET | 256944 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 | 1585 Подробнее о заказе |
|
| BUZ31 H3045A | MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK | 1961 Подробнее о заказе |
|
| IPP16CN10LGXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 | 14887 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18847 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.07000 | $1.07 |
| 10 | $0.96901 | $9.6901 |
| 100 | $0.78410 | $78.41 |
| 800 | $0.55880 | $447.04 |
| 1600 | $0.51509 | $824.144 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.