IPD85P04P407ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD85P04P407ATMA1 | IPD85P04P407ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD85P04P407ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD85P04P407ATMA1
LIXINC Part #	IPD85P04P407ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD85P04P407ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD85P04P407ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD85P04P407ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	85A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	89 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6085 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	88W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDMS7660AS	MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN	5547 Подробнее о заказе
IPI65R190CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3	897 Подробнее о заказе
BUK9Y25-60E,115	MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56	840 Подробнее о заказе
SIHB15N65E-GE3	MOSFET N-CH 650V 15A TO263	819 Подробнее о заказе
IRFR120TRLPBF	MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK	6467 Подробнее о заказе
FDPF8D5N10C	MOSFET N-CH 100V 76A TO220F	1834 Подробнее о заказе
BSC0901NSIATMA1	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON	3839 Подробнее о заказе
PSMN5R6-100XS,127	MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F	1871 Подробнее о заказе
BSS138BKW/DG/B2135	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	140859 Подробнее о заказе
IRL2505PBF	MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB	5308 Подробнее о заказе
IRLR110TRL	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK	901 Подробнее о заказе
2SK4222	MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB	11047 Подробнее о заказе
FDG327N	MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88	916 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.65000	$1.65
2500	$0.60437	$1510.925

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015