IPP80P03P4L04AKSA2 | IR (Infineon Technologies) IPP80P03P4L04AKSA2 | IPP80P03P4L04AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPP80P03P4L04AKSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPP80P03P4L04AKSA2
LIXINC Part #	IPP80P03P4L04AKSA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPP80P03P4L04AKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPP80P03P4L04AKSA2 Технические характеристики

номер части:	IPP80P03P4L04AKSA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 253µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	160 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+5V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	11300 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	137W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220-3-1
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.46000	$2.46

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015