Только для справки
| номер части | STWA65N60DM6 |
| LIXINC Part # | STWA65N60DM6 |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 38A TO247 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | STWA65N60DM6 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | STWA65N60DM6 |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| ряд: | MDmesh™ DM6 |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 38A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-247 Long Leads |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| H5N5005PL-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 828 Подробнее о заказе |
|
| FDMC86102 | MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33 | 879 Подробнее о заказе |
|
| HUF75344A3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO3P | 2030 Подробнее о заказе |
|
| IXFQ20N50P3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO3P | 1632 Подробнее о заказе |
|
| STW28N65M2 | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 | 1707 Подробнее о заказе |
|
| IPD50R800CE | IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN | 68485 Подробнее о заказе |
|
| AOT16N50 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220 | 942 Подробнее о заказе |
|
| FQD19N10LTM | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | 1622 Подробнее о заказе |
|
| IPD80R1K2P7ATMA1 | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3 | 5589 Подробнее о заказе |
|
| RM6N800T2 | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220-3 | 916 Подробнее о заказе |
|
| SI4122DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO | 925 Подробнее о заказе |
|
| SISA24DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8 | 4898 Подробнее о заказе |
|
| RM1A5N30S3AE | MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SOT323 | 881 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11015 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $7.85000 | $7.85 |
| 10 | $7.11573 | $71.1573 |
| 100 | $5.94090 | $594.09 |
| 600 | $5.05978 | $3035.868 |
| 1200 | $4.47236 | $5366.832 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.