IAUC120N04S6L008ATMA1

IAUC120N04S6L008ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IAUC120N04S6L008ATMA1
LIXINC Part # IAUC120N04S6L008ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IAUC120N04S6L008ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jun 16 - Jun 20 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IAUC120N04S6L008ATMA1 Технические характеристики

номер части:IAUC120N04S6L008ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:7910 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-33
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3 1518

Подробнее о заказе

BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 1130

Подробнее о заказе

DMN3052LSS-13 DMN3052LSS-13 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOP 1850

Подробнее о заказе

C3M0120090J C3M0120090J SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7 947

Подробнее о заказе

NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 35883

Подробнее о заказе

NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 1135

Подробнее о заказе

IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 870

Подробнее о заказе

IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04 - 20V-150V P-CHANNEL AU 2851

Подробнее о заказе

BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 MOSFET N-CH 250V TSON-8 3059

Подробнее о заказе

IRF9392PBF IRF9392PBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO 841

Подробнее о заказе

FQU17P06TU FQU17P06TU MOSFET P-CH 60V 12A IPAK 4734

Подробнее о заказе

RJK0349DSP-01#J0 RJK0349DSP-01#J0 MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP 827

Подробнее о заказе

IRFS3306PBF IRFS3306PBF MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 1010

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14327 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.77000$2.77
5000$1.34976$6748.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top