Только для справки
| номер части | TK20P04M1,RQ(S |
| LIXINC Part # | TK20P04M1,RQ(S |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 20A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK20P04M1,RQ(S След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK20P04M1,RQ(S |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVI-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 29mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.3V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 985 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 27W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| UPA2719GR-E1-AT | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15812 Подробнее о заказе |
|
| FDD6696 | MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK | 218871 Подробнее о заказе |
|
| IXFH10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD | 1243 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H858NT1G | MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN | 11352 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H015SK3-13 | MOSFET N-CH 100V 54A TO252 | 908 Подробнее о заказе |
|
| SI2315BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | 8886 Подробнее о заказе |
|
| SQM120N04-1M7_GE3 | MOSFET N-CH 40V 120A TO263 | 867 Подробнее о заказе |
|
| AOK42S60L | MOSFET N-CH 600V 39A TO247 | 821 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1401A-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2810 Подробнее о заказе |
|
| DMP10H4D2S-13 | MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3 | 949 Подробнее о заказе |
|
| STB30NF20L | MOSFET N CH 200V 30A D2PAK | 1954 Подробнее о заказе |
|
| IPI65R310CFDXKSA1 | IPI65R310 - 650 V COOLMOS CFD | 15419 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN6A25KTC | MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3 | 926 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10829 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.38599 | $0.38599 |
| 2000 | $0.37312 | $746.24 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.