Только для справки
| номер части | IPD80R900P7ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPD80R900P7ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD80R900P7ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD80R900P7ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ P7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 110µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 350 pF @ 500 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 45W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IXFP8N85X | MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB | 6186 Подробнее о заказе |
|
| SI7862ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 | 815 Подробнее о заказе |
|
| IRFSL3806PBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 12210 Подробнее о заказе |
|
| APT5015BVRG | MOSFET N-CH 500V 32A TO247 | 856 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9024TRPBF-BE3 | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK | 2832 Подробнее о заказе |
|
| IRFIZ48NPBF | HEXFET POWER MOSFET | 9138 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N04S2H4ATMA2 | IPB80N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT | 1431 Подробнее о заказе |
|
| FQPF6N40C | MOSFET N-CH 400V 6A TO220F | 8352 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0911LSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON | 10968 Подробнее о заказе |
|
| XP152A11E5MR-G | MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 | 875 Подробнее о заказе |
|
| CSD23203W | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA | 918 Подробнее о заказе |
|
| SI7308DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 6323 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4945NT1G | MOSFET N-CH 30V 7.4A/35A 5DFN | 230513 Подробнее о заказе |
| В наличии | 14071 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.35000 | $1.35 |
| 2500 | $0.67694 | $1692.35 |
| 5000 | $0.64681 | $3234.05 |
| 12500 | $0.62528 | $7816 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.