Только для справки
| номер части | IPP50R250CPXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPP50R250CPXKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | LOW POWER_LEGACY |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPP50R250CPXKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPP50R250CPXKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | * |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| STP10NK80Z | MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB | 1768 Подробнее о заказе |
|
| IPD40DP06NMATMA1 | MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3 | 910 Подробнее о заказе |
|
| BUK9E3R2-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK | 888 Подробнее о заказе |
|
| IAUC60N04S6N044ATMA1 | IAUC60N04S6N044ATMA1 | 991 Подробнее о заказе |
|
| DMN3900UFA-7B | MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN | 660130962 Подробнее о заказе |
|
| DMNH4011SK3Q-13 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | 10868 Подробнее о заказе |
|
| IPD14N06S280ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 | 10918 Подробнее о заказе |
|
| RD3T100CNTL1 | MOSFET N-CH 200V 10A TO252 | 3265 Подробнее о заказе |
|
| BSC026N02KSG | BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P | 40955 Подробнее о заказе |
|
| AUIRF2807 | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 8416 Подробнее о заказе |
|
| AOW2500 | MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO262 | 812 Подробнее о заказе |
|
| BUK7Y54-75B,115 | PFET, 21.4A I(D), 75V, 0.054OHM, | 967 Подробнее о заказе |
|
| IXTK102N65X2 | MOSFET N-CH 650V 102A TO264 | 51244 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10861 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.64824 | $1.64824 |
| 500 | $1.64824 | $824.12 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.