IPD60R2K1CEAUMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD60R2K1CEAUMA1 | IPD60R2K1CEAUMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R2K1CEAUMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD60R2K1CEAUMA1
LIXINC Part #	IPD60R2K1CEAUMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD60R2K1CEAUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD60R2K1CEAUMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD60R2K1CEAUMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CE
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 60µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	38W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK55S10N1,LQ	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK	2777 Подробнее о заказе
AUIRLR3114ZTRL	AUTOMOTIVE POWER MOSFET	22336 Подробнее о заказе
IPB011N04LGATMA1	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	1008 Подробнее о заказе
AON7506	MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN	815 Подробнее о заказе
IPD350N06LGBTMA1	MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3	971 Подробнее о заказе
IRFP3206PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	7405 Подробнее о заказе
SPD03N60S5	N-CHANNEL POWER MOSFET	27249 Подробнее о заказе
SI4413ADY-T1-E3	MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO	3385 Подробнее о заказе
PSMN6R3-120ESQ	MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK	1346 Подробнее о заказе
NTLJF4156NTAG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	6975 Подробнее о заказе
PMV65XPEAR	MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB	71525 Подробнее о заказе
MGSF3454XT1	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	25902 Подробнее о заказе
IXFX150N30P3	MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3	1939 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015