Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD60R3K3C6ATMA1

IPD60R3K3C6ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60R3K3C6ATMA1
LIXINC Part # IPD60R3K3C6ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60R3K3C6ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60R3K3C6ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD60R3K3C6ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ C6
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:3.3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:4.6 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:93 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):18.1W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R3K3C6ATMA1 Документы

if IPD60R3K3C6ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFA130N10T2-TRL IXFA130N10T2-TRL MOSFET N-CH 100V 130A TO263 813

Подробнее о заказе
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT 3933

Подробнее о заказе
FDMC8010ET30 FDMC8010ET30 MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33 4585

Подробнее о заказе
2SJ651 2SJ651 MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML 5518

Подробнее о заказе
BSP126/S911115 BSP126/S911115 N-CHANNEL POWER MOSFET 206985

Подробнее о заказе
IPI80N06S207AKSA2 IPI80N06S207AKSA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3-1 1335

Подробнее о заказе
IRFB4610PBF IRFB4610PBF MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB 4301

Подробнее о заказе
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK 812

Подробнее о заказе
STP11NK40ZFP STP11NK40ZFP MOSFET N-CH 400V 9A TO220FP 1681

Подробнее о заказе
SCT3080KW7TL SCT3080KW7TL TRANS SJT N-CH 1200V 30A TO263-7 1975

Подробнее о заказе
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR AUTOMOTIVE POWER MOSFET 9750

Подробнее о заказе
IXTQ64N25P IXTQ64N25P MOSFET N-CH 250V 64A TO3P 1701

Подробнее о заказе
STD25P03LT4G STD25P03LT4G MOSFET P-CH 30V 25A DPAK 8080

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11180 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.71000$0.71
2500$0.31534$788.35
5000$0.29591$1479.55
12500$0.28619$3577.375
25000$0.28090$7022.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top