Только для справки
| номер части | H5N5016PL-E |
| LIXINC Part # | H5N5016PL-E |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | H5N5016PL-E След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | H5N5016PL-E |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | * |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| IPB020NE7N3GATMA1 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 1004 Подробнее о заказе |
|
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 | 827 Подробнее о заказе |
|
| RJK0301DPB-00#J0 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | 74064 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFS8403 | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 8315 Подробнее о заказе |
|
| FCD850N80Z | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 5796 Подробнее о заказе |
|
| TSM60NB600CF C0G | MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S | 4613 Подробнее о заказе |
|
| STP60NF06L | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | 893 Подробнее о заказе |
|
| FDP045N10A | 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL | 3803 Подробнее о заказе |
|
| RFD8P05SM | MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA | 2733 Подробнее о заказе |
|
| SIHB22N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 1180 Подробнее о заказе |
|
| IPD40N03S4L08ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 | 20299 Подробнее о заказе |
|
| BSC042N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON | 10662 Подробнее о заказе |
|
| SBVS138LT1G | MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 | 21907 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11039 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $9.55000 | $9.55 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.